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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: A study on the minority carrier diffusion length in n-type GaN films
作者: Deng DM (Deng Dongmei);  Zhao DG (Zhao Degang);  Wang JY (Wang Jinyan);  Yang H (Yang Hui);  Wen CP (Wen Cheng Paul)
发表日期: 2007
摘要: The minority carrier diffusion length of n-type GaN films grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) has been studied by measuring the surface photovoltaic (PV) spectra. It was found that the minority carrier diffusion length of undoped n-type GaN is considerably larger than that in lightly Si-doped GaN. However, the data suggested that the dislocation and electron concentration appear not to be responsible for the minority carrier diffusion length. It is suggested that Si doping plays an important role in decreasing the minority carrier diffusion length.
刊名: RARE METALS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Deng, DM (Deng Dongmei); Zhao, DG (Zhao Degang); Wang, JY (Wang Jinyan); Yang, H (Yang Hui); Wen, CP (Wen Cheng Paul) .A study on the minority carrier diffusion length in n-type GaN films ,RARE METALS,JUN 2007,26 (3):271-275
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