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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Effect of electron-hole spatial correlation on spin relaxation dynamics in InAs submonolayer
作者: Sun Z;  Xu ZY;  Ruan,XZ;  Ji Y;  Sun BQ;  Wang M;  Ni HQ
发表日期: 2007
摘要: Using time-resolved photoluminescence and time-resolved Kerr rotation spectroscopy, we explore the unique electron spin behavior in an InAs submonolayer sandwiched in a GaAs matrix, which shows very different spin characteristics under resonant and non-resonant excitations. While a very long spin relaxation lifetime of a few nanoseconds at low temperature is observed under non-resonant excitation, it decreases dramatically under resonant excitation. These interesting results are attributed to the difference in electron-hole interactions caused by non-geminate or geminate capture of photo-generated electron-hole pairs in the two excitation cases, and provide a direct verification of the electron-hole spatial correlation effect on electron spin relaxation. (c) 2007 Elsevier Ltd. All rights reserved.
刊名: SOLID STATE COMMUNICATIONS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Sun, Z (Sun, Zheng); Xu, ZY (Xu, Z. Y.); Ruan, XZ (Ruan, X. Z.); Ji, Y (Ji, Yang); Sun, BQ (Sun, B. Q.); Wang, M (Wang, M.); Ni, HQ (Ni, H. Q.) .Effect of electron-hole spatial correlation on spin relaxation dynamics in InAs submonolayer ,SOLID STATE COMMUNICATIONS,JUL 2007,143 (3):158-160
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