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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Effects of the wave function localization in AlInGaN quaternary alloys
作者: Wang, F (Wang, Fei);  Li, SS (Li, Shu-Shen);  Xia, JB (Xia, Jian-Bai);  Jiang, HX (Jiang, H. X.);  Lin, JY (Lin, J. Y.);  Li, J (Li, Jingbo);  Wei, SH (Wei, Su-Huai)
发表日期: 2007
摘要: Using the first-principles band-structure method and the special quasirandom structures approach, the authors have investigated the band structure of random AlxInyGa1-x-yN quaternary alloys. They show that the wave functions of the band edge states are more localized on the InN sites. Consequently, the photoluminescence transition intensity in the alloy is higher than that in GaN. The valence band maximum state of the quaternary alloy is also higher than GaN with the same band gap, indicating that the alloy can be doped more easily as p-type. (c) 2007 American Institute of Physics.
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wang, F (Wang, Fei); Li, SS (Li, Shu-Shen); Xia, JB (Xia, Jian-Bai); Jiang, HX (Jiang, H. X.); Lin, JY (Lin, J. Y.); Li, J (Li, Jingbo); Wei, SH (Wei, Su-Huai) .Effects of the wave function localization in AlInGaN quaternary alloys ,APPLIED PHYSICS LETTERS,AUG 6 2007,91 (6):Art.No.061125
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