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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Stress evolution influenced by oxide charges on GaN metal-organic chemical vapor deposition on silicon-on-insulator substrate
作者: Sun J;  Chen J;  Wang X;  Wang J;  Liu W;  Zhu J;  Yang H
发表日期: 2007
摘要: GaN epilayers have been deposited on silicon-on-insulator (SOI) and bulk silicon substrates. The stress transition thickness and the initial compressive stress of a GaN epilayer on the SOI substrate are larger than those on the bulk silicon substrate, as shown in in situ stress measurement results. It is mainly due to the difference of the three-dimensional island density and the threading dislocation density in the GaN layer. It can increase the compressive stress in the initial stage of growth of the GaN layer, and helps to offset the tensile stress generated by the lattice mismatch.
KOS主题词: Development
刊名: APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Sun, J (Sun, J.); Chen, J (Chen, J.); Wang, X (Wang, X.); Wang, J (Wang, J.); Liu, W (Liu, W.); Zhu, J (Zhu, J.); Yang, H (Yang, H.) .Stress evolution influenced by oxide charges on GaN metal-organic chemical vapor deposition on silicon-on-insulator substrate ,APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING,OCT 2007,89 (1):177-181
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