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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Defects around self-organized InAs quantum dots measured by slow positron beam
作者: Meng XQ;  Chen ZQ;  Jin P;  Wang ZG;  Wei L
发表日期: 2007
摘要: Self-organized InAs quantum dots (QDs) have been fabricated by molecular beam epitaxy. The authors try to use a slow positron beam to detect defects in and around self-organized QDs, and point defects are observed in GaAs cap layer above QDs. For the self-organized InAs QDs without strain-reducing layer, it is free of defects. However, by introducing a strain-reducing layer, the density of point defects around larger sized InAs QDs increased. The above results suggest that low energy positron beam measurements may be a good approach to detect depth profiles of defects in QD materials. (c) 2007 American Institute of Physics.
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Meng, XQ (Meng, X. Q.); Chen, ZQ (Chen, Z. Q.); Jin, P (Jin, P.); Wang, ZG (Wang, Z. G.); Wei, L (Wei, Long) .Defects around self-organized InAs quantum dots measured by slow positron beam ,APPLIED PHYSICS LETTERS,AUG 27 2007,91 (9):Art.No.093510
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