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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Determination of the valence band offset of wurtzite InN/ZnO heterojunction by x-ray photoelectron spectroscopy
作者: Zhang RQ (Zhang Riqing);  Zhang PF (Zhang Panfeng);  Kang TT (Kang Tingting);  Fan HB (Fan Haibo);  Liu XL (Liu Xianglin);  Yang SY (Yang Shaoyan);  Wei HY (Wei Hongyuan);  Zhu QS (Zhu Qinsheng);  Wang ZG (Wang, Zhanguo)
发表日期: 2007
摘要: The valence band offset (VBO) of the wurtzite InN/ZnO heterojunction is directly determined by x-ray photoelectron spectroscopy to be 0.82 +/- 0.23 eV. The conduction band offset is deduced from the known VBO value to be 1.85 -/+ 0.23 eV, which indicates a type-I band alignment for InN/ZnO heterojunction. (C) 2007 American Institute of Physics.
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhang, RQ (Zhang, Riqing); Zhang, PF (Zhang, Panfeng); Kang, TT (Kang, Tingting); Fan, HB (Fan, Haibo); Liu, XL (Liu, Xianglin); Yang, SY (Yang, Shaoyan); Wei, HY (Wei, Hongyuan); Zhu, QS (Zhu, Qinsheng); Wang, ZG (Wang, Zhanguo) .Determination of the valence band offset of wurtzite InN/ZnO heterojunction by x-ray photoelectron spectroscopy ,APPLIED PHYSICS LETTERS,OCT 15 2007,91 (16):Art.No.162104
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