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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Photo-capacitance response of internal tunnelling coupling in quantum-dot-imbedded heterostructures under selective photo-excitation
作者: Li, GR;  Zhou, X;  Yang, FH;  Tan, PH;  Zheng, HZ;  Zeng, YP
发表日期: 2004
摘要: Under selective photo-excitation, the capacitance response of internal tunnelling coupling in quantum-dots-imbedded heterostructures is studied to clarify the electronic states and the number densities of electrons filling in the quantum dots (QDs). The random nature for both optical transitions and the filling in a QD assembly makes highly resolved capacitance peaks appear in the C-V characteristic after turning off the photo-excitation.
刊名: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Li, GR; Zhou, X; Yang, FH; Tan, PH; Zheng, HZ; Zeng, YP .Photo-capacitance response of internal tunnelling coupling in quantum-dot-imbedded heterostructures under selective photo-excitation ,JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER,SEP 15 2004,16 (36):6519-6525
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