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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Extremely low density InAs quantum dots realized in situ on (100) GaAs
作者: Sun, J;  Jin, P;  Wang, ZG
发表日期: 2004
摘要: Extremely low density self-assembled InAs quantum dots are grown by a combination technique of in situ annealing for 2 min and pause of substrate rotation during molecular beam epitaxy. The surface morphology and structural characteristics of the quantum dots are scrutinized by atomic force microscopy and photoluminescence spectra. It is found that the quantum dot size and density increase as the InAs deposition amount rises. Quantum dots with a density between 2.5 x 10(7) cm(-2) and 2.2 x 10(8) cm(-2) are 2-5 nm in height and 18-39 nm in diameter. It is believed that as-grown InAs nanodots may be of important value for future single quantum dot research.
KOS主题词: Epitaxy
刊名: NANOTECHNOLOGY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Sun, J; Jin, P; Wang, ZG .Extremely low density InAs quantum dots realized in situ on (100) GaAs ,NANOTECHNOLOGY,DEC 2004 ,15 (12):1763-1766
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