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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: In situ doping control for growth of n-p-n Si/SiGe/Si heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy
作者: Gao F;  Huang DD;  Li JP;  Liu C
发表日期: 2005
摘要: N-p-n Si/SiGe/Si heterostructures have been grown by a disilane (Si2H6) gas and Ge solid sources molecular beam epitaxy system using phosphine (PH3) and diborane (B2H6) as n- and p-type in situ doping sources, respectively. Adopting an in situ doping control technology, the influence of background B dopant on the growth of n-Si emitter layer was reduced, and an abrupt B dopant distribution from SiGe base to Si emitter layer was obtained. Besides, higher n-type doping in the surface region of emitter to reduce the emitter resist can be realized, and it did not result in the drop of growth rate of Si emitter layer in this technology. (C) 2004 Elsevier B.V. All rights reserved.
KOS主题词: doping
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Gao, F; Huang, DD; Li, JP; Liu, C .In situ doping control for growth of n-p-n Si/SiGe/Si heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,JAN 3 2005,273 (3-4):381-385
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