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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Silicon-on-insulator based electro-optic variable optical attenuator with a series structure
作者: He YJ;  Li F;  Liu YL
发表日期: 2005
摘要: An electro-optic variable optical attenuator in silicon-on-insulator is designed and fabricated. A series Structure is used to improve the device efficiency Compared to the attenuator in the single p-i-n diode Structure in the same modulating length, the attenuation range of the device in the series structure improves 2-3 times in the same injecting current density, while the insertion loss is not affected. The maximum dynamic attenuation of the device is greater than 30 dB. The response frequency is obtained to be about 2 MHz.
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
He, YJ; Li, F; Liu, YL .Silicon-on-insulator based electro-optic variable optical attenuator with a series structure ,CHINESE PHYSICS LETTERS,JAN 2005,22 (1):95-98
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