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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Surface morphology control of strained InAs/GaAs(331)A films: From nanowires to island-pit pairs
作者: Gong Z;  Niu ZC;  Fang ZD;  Miao ZH;  Feng SL
发表日期: 2005
摘要: We have studied the effect of molecular beam epitaxy growth conditions on the surface morphology of strained InAs/GaAs(331)A films. Our results reveal that InAs nanowires aligned along the [1 (1) over bar0] direction are formed under As-rich conditions, which is explained by the effect of anisotropic buffer layer surface roughing. Under In-rich conditions, however, the surface morphology of the InAs layers is characterized by a feature of island-pit pairs. In this case, cooperative nucleation of islands and pits can lower the activation barrier for domain growth. These results suggest that the surface morphology of strained InAs layers is highly controllable. (C) 2005 American Institute of Physics.
KOS主题词: atomic layer deposition
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Gong, Z; Niu, ZC; Fang, ZD; Miao, ZH; Feng, SL .Surface morphology control of strained InAs/GaAs(331)A films: From nanowires to island-pit pairs ,APPLIED PHYSICS LETTERS,JAN 3 2005,86 (1):Art.No.013104
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