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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: An improvement on Si-etching tetramethyl ammonium hydroxide solution
作者: Yang D;  Yu JZ;  Chen SW;  Fan ZC;  Li YT
发表日期: 2005
摘要: An optimal concentration of the etching solution for deep etching of silicon, including 3% tetramethyl ammonium hydroxide and 0.3% (NH4)(2)S2O8, was achieved in this paper. For this etching solution, the etching rates of silicon and silicon dioxide were about 1.1 mu m(.)min(-1) and 0.5 nm(.)min(-1), respectively. The etching ratio between (100) and (111) planes was about 34:1, and the etched surface was very smooth.
KOS主题词: Silicon
刊名: CHINESE JOURNAL OF CHEMICAL ENGINEERING
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Yang, D; Yu, JZ; Chen, SW; Fan, ZC; Li, YT .An improvement on Si-etching tetramethyl ammonium hydroxide solution ,CHINESE JOURNAL OF CHEMICAL ENGINEERING,FEB 2005,13 (1):48-50
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