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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Ferromagnetism in Mn and Cr doped GaN by thermal diffusion
作者: Cai XM;  Djurisic AB;  Xie MH;  Liu H;  Zhang XX;  Zhu JJ;  Yang H
发表日期: 2005
摘要: Doping of magnetic element Mn and Cr in GaN was achieved by thermal diffusion. The conductivity of the samples, which were all n-type, did not change significantly after the diffusion doping. X-ray diffraction measurements revealed no secondary phase in the samples. Experiments using superconducting quantum interference device (SQUID) showed that the samples were ferromagnetic at 5 and 300 K, implying the Curie temperature to be around or over 300 K, despite their n-type conductivity. (c) 2004 Elsevier B.V. All rights reserved.
刊名: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Cai, XM; Djurisic, AB; Xie, MH; Liu, H; Zhang, XX; Zhu, JJ; Yang, H .Ferromagnetism in Mn and Cr doped GaN by thermal diffusion ,MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY,MAR 25 2005,117 (3):292-295
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