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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Fabrication of arrayed waveguide grating based on SOI material
作者: Fang, Q;  Li, F;  Liu, YL
发表日期: 2005
摘要: An arrayed waveguide grating based on SOI material was fabricated by inductive coupled plasma (ICP) etching technology. The central wavelength of the device was designed at 1.5509 mu m and the channel spacing was 200 GHz. Comparing with the values of the design, the differences of the central wavelength and the channel spacing in the test were 0.28 nm and 0.02 nm, respectively. The adjacent channel crosstalk was about 10 dB, and the uniformity of the five channels' insertion loss was only 0.7 dB. The results show that the device can be used as a demultiplexer.
刊名: JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Fang, Q; Li, F; Liu, YL .Fabrication of arrayed waveguide grating based on SOI material ,JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES,APR 2005,24 (2):143-146
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