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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Room temperature 1.25 mu m emission from high indium content InxGa1-xAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy
作者: Niu ZC;  Ni HQ;  Xu XH;  Xu YQ;  He ZH;  Han Q;  Wu RH
发表日期: 2005
摘要: Long-wavelength high indium content InxGa1-xAs/GaAs single/multi quantum wells (QWs) structures have been successfully grown by molecular beam epitaxy. It is evidenced by X-ray measurements that the critical thickness of the well width of InxGa1-xAs/GaAs QWs with an indium content x of 47.5% can be raised up to 7nm without strain relation. 1.25μ m photoluminescence (PL) emission is obtained from the QWs with narrower full-width at half maximum (FWHM) less than 30meV. Our results are important basements which are useful for further fabricating GaAs-based long-wavelength devices. © 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
KOS主题词: strain
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Niu, ZC; Ni, HQ; Xu, XH; Xu, YQ; He, ZH; Han, Q; Wu, RH .Room temperature 1.25 mu m emission from high indium content InxGa1-xAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,MAY 1 2005,278 (1-4):728-733
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