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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: AMPS modeling of light J-V characteristics of a-Si based solar cells
作者: Hu ZH;  Liao XB;  Diao HW;  Xia CF;  Xu L;  Zeng XB;  Hao XB;  Hao HY;  Kong GL
发表日期: 2005
摘要: AMPS (Analysis of microelectronic and photonic structures) mode,which was developed by Pennsylvania State University, has been used to module the light J-V characteristics of a-Si solar cells with a structure of TCO/p-a-SiC:H/i-a-Si:H/n-a-Si:H/ metal. The effects of valence band offset and contact barriers at p/i and TOC/p, n/metal interfaces on the light J-V characteristics have been examined. The modeling has qualitatively categorized and explained the non-ideal J-V behaviors (rollover, crossover, Voc shift,and rollunder) observed in a-Si based solar cells.
KOS主题词: amorphous silicon
刊名: ACTA PHYSICA SINICA
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Hu, ZH; Liao, XB; Diao, HW; Xia, CF; Xu, L; Zeng, XB; Hao, XB; Hao, HY; Kong, GL .AMPS modeling of light J-V characteristics of a-Si based solar cells ,ACTA PHYSICA SINICA,MAY 2005,54 (5):2302-2306
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