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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Sulfur-induced exciton localization in Te-rich ZnSTe alloy
作者: Yang, XD;  Xu, ZY;  Sun, Z;  Ji, Y;  Sun, BQ;  Sou, IK;  Ge, WK
发表日期: 2005
摘要: Exciton localization in Te-rich ZnSTe epilayers has been studied by photoluminescence (PL) and time-resolved PL. The sulfur-related exciton emission is found to dominate the radiative recombination at low temperature and is shifted to the low energy with the increase of S concentration. By measuring the PL dependence on temperature and by analyzing the PL decay process, we have clarified the localization nature of the sulfur-related exciton emission. Furthermore, the difference of the localization effect in Te- and S-rich ZnSTe is also compared and discussed. © 2005 American Institute of Physics.
KOS主题词: Quantum wells
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Yang, XD; Xu, ZY; Sun, Z; Ji, Y; Sun, BQ; Sou, IK; Ge, WK .Sulfur-induced exciton localization in Te-rich ZnSTe alloy ,APPLIED PHYSICS LETTERS,APR 18 2005,86 (16):Art.No.162108
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