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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Fabrication of a 4x4 strictly nonblocking SOI switch matrix
作者: Yang D;  Li YP;  Sun F;  Chen SW;  Yu JH
发表日期: 2005
摘要: A 4 x 4 strictly nonblocking thermo-optical switch matrix based on Mach-Zehnder (MZ) switching unit was designed and fabricated in silicon-on-insulator (SOI) wafer. The paired multi-mode interferometers (MMI) were used as power splitters and combiners in MZ structures. The device presents an average insertion loss of 17 dB and an average crosstalk of 16.5 dB. The power consumption needed for operation is reduced to 0.288 W by adding isolating trenches. The switching time of the device is about 15 mu s, which is much faster than that of silica-based switches. (C) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
刊名: OPTICS COMMUNICATIONS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Yang, D; Li, YP; Sun, F; Chen, SW; Yu, JH .Fabrication of a 4x4 strictly nonblocking SOI switch matrix ,OPTICS COMMUNICATIONS,JUN 1 2005,250 (1-3):48-53
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