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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Research progress of electronic properties of self-assembled semiconductor quantum dots
作者: Sun J;  Jin P;  Wang ZG
发表日期: 2005
摘要: Self-assembled semiconductor quantum dot is a new type of artificially designed and grown function material which exhibits quantum size effect, quantum interference effect, surface effect, quantum tunneling-Coulumb-blockade effect and nonlinear optical effect. Due to its advantages of less crystal defects and relatively simpler fabrication technology, this material may be of important value in the research of future nanoelectronic device. In the order of vertical transport, lateral transport and charge storage, recent advances in the electronic properties of this material are brefly introduced, and the problems and perspectives are analyzed.
刊名: ACTA METALLURGICA SINICA
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Sun, J; Jin, P; Wang, ZG .Research progress of electronic properties of self-assembled semiconductor quantum dots ,ACTA METALLURGICA SINICA,MAY 2005,41 (5):463-470
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