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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Optical properties of highly ordered AlN nanowire arrays grown on sapphire substrate
作者: Zhao Q;  Zhang HZ;  Xu XY;  Wang Z;  Xu J;  Yu DP;  Li GH;  Su FH
发表日期: 2005
摘要: Highly ordered AlN nanowire arrays were synthesized via a simple physical vapor deposition method on sapphire substrate. The nanowires have an extremely sharp tip < 10 nm, with the average length around 3 mu m. Raman spectroscopy analysis on the AlN nanowire arrays revealed that the lifetime of the phonons is shorter than that in bulk AlN. The transmission spectra of the AlN nanowires showed a blueshift similar to 0.27 eV at the absorption edge with that of the bulk AlN, which is closely related to the small size of the nanowires. (c) 2005 American Institute of Physics.
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhao, Q; Zhang, HZ; Xu, XY; Wang, Z; Xu, J; Yu, DP; Li, GH; Su, FH .Optical properties of highly ordered AlN nanowire arrays grown on sapphire substrate ,APPLIED PHYSICS LETTERS,MAY 9 2005,86 (19):Art.No.193101
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