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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Gal(1-x)Mn(1-x)Sb grown on GaSb with mass-analyzed low-energy dual ion beam deposition
作者: Chen CL;  Chen NF;  Liu LF;  Wu JL;  Liu ZK;  Yang SY;  Chai CL
发表日期: 2005
摘要: The Ga1-xMnxSb samples were fabricated by the implantation of Mn ions into GaSb (1 0 0) substrate with mass-analyzed low-energy dual ion beam deposition system, and post-annealing. Auger electron spectroscopy depth profile of the Ga1-xMnxSb samples showed that the Mn ions were successfully implanted into GaSb substrate. Clear double-crystal X-ray diffraction patterns of the Ga1-xMnxSb samples indicate that the Ga1-xMnxSb epilayers have the zinc-blende structure without detectable second phase. Magnetic hysteresis-loop of the Ga1-xMnxSb epilayers were obtained at room temperature (293 K) with alternating gradient magnetometry. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
KOS主题词: X-ray crystallography
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Chen, CL; Chen, NF; Liu, LF; Wu, JL; Liu, ZK; Yang, SY; Chai, CL .Gal(1-x)Mn(1-x)Sb grown on GaSb with mass-analyzed low-energy dual ion beam deposition ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,JUN 1 2005,279 (3-4):272-275
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