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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Epitaxial SiC grown on silicon-on-insulator substrate with ultra-thin silicon-over-layer
作者: Huang FY;  Wang XF;  Sun GS;  Zhao WS;  Zeng YP;  Bian EL
发表日期: 2005
摘要: We report on the comparative studies of epitaxial SiC films grown on silicon-on-insulator (SOI) and Si bulk substrates. The silicon-over-layer (SOL) on the SOI has been thinned down to different thicknesses, with the thinnest about 10 nm. It has been found that the full-width-at-half-maxim in the X-ray diffraction spectrum from the SiC films decreases as the SOL thickness decreases, indicating improved quality of the SiC film. A similar trend has also been found in the Raman spectrum. One of the potential explanations for the observation is strain accommodation by the ultra-thin SOI substrate. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Silicon carbide
刊名: THIN SOLID FILMS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Huang, FY; Wang, XF; Sun, GS; Zhao, WS; Zeng, YP; Bian, EL .Epitaxial SiC grown on silicon-on-insulator substrate with ultra-thin silicon-over-layer ,THIN SOLID FILMS,JUL 22 2005,484 (1-2):261-264
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