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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Passively mode-locking Nd : Gd0.5Y0.5VO4 laser with an In(0.25)Ga(0.75)Aa absorber grown at low temperature
作者: Wang YG;  Ma XY;  Fan YX;  Wang HT
发表日期: 2005
摘要: We have demonstrated stable self-starting passive mode locking in a diode-end-pumped Nd:Gd-0.8-Y0.5VO4 laser by using an In0.25Ga0.75As absorber grown at low temperature (LT In0.25Ga0.75As absorber). An In0.25Ga0.75As single-quantum-well absorber, which was grown directly on the GaAs buffer by use of the metal-organic chemical-vapor deposition technique, acts simultaneously as a passive mode-locking device and as an output coupler. Continuous-wave mode-locked pulses were obtained at 1063.5 nm. We achieved a pulse duration of 2.6 ps and an average output power of 2.15 W at a repetition rate of 96.4 MHz. (c) 2005 Optical Society of America.
刊名: APPLIED OPTICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wang, YG; Ma, XY; Fan, YX; Wang, HT .Passively mode-locking Nd : Gd0.5Y0.5VO4 laser with an In(0.25)Ga(0.75)Aa absorber grown at low temperature ,APPLIED OPTICS,JUL 10 2005,44 (20):4384-4387
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