高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Intraband relaxation and its influences on quantum dot lasers
作者: Deng, SL;  Huang, YZ;  Yu, LJ
发表日期: 2005
摘要: A comprehensive two-level numerical model is developed to describe carrier distribution in a quantum-dot laser. Light-emission spectra with different intraband relaxation rates (2ps, 7.5ps and 20ps) are calculated and analysed to investigate the influence of relaxation rates on performance of the quantum-dot laser. The results indicate that fast intraband relaxation favours not only the ground state single mode operation but also the higher injection efficiency.
KOS主题词: Optical gain
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
2586.pdf279KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Deng, SL; Huang, YZ; Yu, LJ .Intraband relaxation and its influences on quantum dot lasers ,CHINESE PHYSICS LETTERS,AUG 2005,22 (8):2077-2080
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Deng, SL]的文章
 [Huang, YZ]的文章
 [Yu, LJ]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Deng, SL]的文章
 [Huang, YZ]的文章
 [Yu, LJ]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发