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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: The effect of In content on high-density InxGa1-xAs quantum dots
作者: Yu, LK;  Xu, B;  Wang, ZG;  Jin, P;  Zhao, C;  Lei, W;  Sun, J;  Li, K;  Hu, LJ;  Liang, LY
发表日期: 2005
摘要: We have successfully grown self-assembled InxGa1-xAs (x = 0.44, 0.47, 0.50) quantum dots (QDs) with high density (> 10(11)/cm(2)) by MBE. The effect of In content on the high-density QD is investigated by atomic force microscopy (AFM) and photoluminescence (PL) spectra. It is found that sample with In-mole-fraction of 0.5 shows small size fluctuation and high PL intensity. The influence of growth temperature on high-density QD is also investigated in our experiment. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Yu, LK; Xu, B; Wang, ZG; Jin, P; Zhao, C; Lei, W; Sun, J; Li, K; Hu, LJ; Liang, LY .The effect of In content on high-density InxGa1-xAs quantum dots ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,AUG 15 2005,282 (1-2):173-178
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