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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Interference and non-interference of sidebands in a quantum dot with oscillating levels
作者: Pan, LX;  Yang, M;  Li, SS
发表日期: 2005
摘要: When a quantum dot is suffering an AC gate voltage, the sidebands turn up beside the static levels of the dot. We formularized the conductance and current when the effective coupling between levels in the quantum dot induced by the hybrid terms is included using a bi-unitary transform method, and we investigated the interference of the photon sidebands of deferent levels. The interference occurs if the same sidebands of deferent levels overlap, which is possible only when the static levels lie close to and overlap with each other. The overlap of different photon sidebands leads to a simple non-coherent superposition. (C) 2005 Elsevier Ltd. All rights reserved.
KOS主题词: Quantum dot
刊名: SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Pan, LX; Yang, M; Li, SS .Interference and non-interference of sidebands in a quantum dot with oscillating levels ,SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES,AUG 2005,38 (2):115-121
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