高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Realization of highly uniform self-assembled InAs quantum wires by the strain compensating technique
作者: Huang, XQ;  Wang, YL;  Li, L;  Liang, L;  Liu, FQ
发表日期: 2005
摘要: Self-assembled InAs quantum wires (QWRs) on InP(001) substrate have been grown by molecular-beam epitaxy, using a strain compensating technique. Atom force microscope, Transmission electron microscopy, and high-resolution x-ray diffraction are used to characterize their structural properties. We proposed that, by carefully adjusting composition of InAlGaAs buffer layer and strain compensating spacer layers, stacked QWRs with high uniformity could be achieved. In addition, the formation mechanism and vertical anti-correlation of QWRs are also discussed. (c) 2005 American Institute of Physics.
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
2575.pdf193KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Huang, XQ; Wang, YL; Li, L; Liang, L; Liu, FQ .Realization of highly uniform self-assembled InAs quantum wires by the strain compensating technique ,APPLIED PHYSICS LETTERS,AUG 22 2005,87 (8):Art.No.083108
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Huang, XQ]的文章
 [Wang, YL]的文章
 [Li, L]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Huang, XQ]的文章
 [Wang, YL]的文章
 [Li, L]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发