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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Enhancement of the far-field output power and the properties of the very-small-aperture lasers
作者: Gan Q;  Song G;  Xu Y;  Yang G;  Li Y;  Cao Q;  Ma W;  Gao J;  Chen L
发表日期: 2005
摘要: We report on a VSAL structure fabricated by a 650 nm edge emitting laser diode with an Au-coated facet and an aperture size of 250 x 500 nm. The far field output power can maintain at 1 mW and the power density is 7.5 mW/mu m(2). Some properties of the VSAL including the threshold current change, the red-shift of the spectral position, and the strong relative-intensity-noise are presented. The physical mechanisms responsible for these phenomena are also discussed, which may contribute to the understanding and application of the potential device for near-field optics.
刊名: APPLIED PHYSICS B-LASERS AND OPTICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Gan, Q; Song, G; Xu, Y; Yang, G; Li, Y; Cao, Q; Ma, W; Gao, J; Chen, L .Enhancement of the far-field output power and the properties of the very-small-aperture lasers ,APPLIED PHYSICS B-LASERS AND OPTICS,AUG 2005,81 (4):503-506
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