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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Formation of GaAs/AlGaAs and InGaAs/GaAs nanorings by droplet molecular-beam epitaxy
作者: Gong, Z;  Niu, ZC;  Huang, SS;  Fang, ZD;  Sun, BQ;  Xia, JB
发表日期: 2005
摘要: GaAs/AlGaAs lattice-matched nanorings are formed on GaAs (100) substrates by droplet epitaxy. The crucial step in the formation of nanorings is annealing Ga droplets under As flux for proper time. The observed morphologic evolution of Ga droplets during annealing does not support the hypothesis that As atoms preferentially react with Ga around the periphery of the droplets, but somehow relates to a dewetting process similar to that of unstable films. Photoluminescene (PL) test results confirm the quantum-confinement effect of these GaAs nanorings. Using similar methods, we have fabricated InGaAs/GaAs lattice-mismatched rings. (c) 2005 American Institute of Physics.
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Gong, Z; Niu, ZC; Huang, SS; Fang, ZD; Sun, BQ; Xia, JB .Formation of GaAs/AlGaAs and InGaAs/GaAs nanorings by droplet molecular-beam epitaxy ,APPLIED PHYSICS LETTERS,AUG 29 2005,87 (9):Art.No.093116
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