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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Quantum-dot growth simulation on periodic stress of substrate
作者: Zhao C;  Chen YH;  Cui CX;  Xu B;  Sun J;  Lei W;  Lu LK;  Wang ZG
发表日期: 2005
摘要: InAs quantum dots (QDs) are grown on the cleaved edge of an InxGa1-xAs/GaAs supperlattice experimentally and a good linear alignment of these QDs on the surface of an InxGa1-xAs layer has been realized. The modulation effects of periodic strain on the substrate are investigated theoretically using a kinetic Monte Carlo method. Our results show that a good alignment of QDs can be achieved when the strain energy reaches 2% of the atomic binding energy. The simulation results are in excellent qualitative agreement with our experiments. (C) 2005 American Institute of Physics.
刊名: JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Zhao, C; Chen, YH; Cui, CX; Xu, B; Sun, J; Lei, W; Lu, LK; Wang, ZG .Quantum-dot growth simulation on periodic stress of substrate ,JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS,SEP 1 2005,123 (9):Art.No.094708
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