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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 8 mu m strain-compensated quantum cascade laser operating at room temperature
作者: Guo, Y;  Liu, FQ;  Liu, JQ;  Li, CM;  Wang, ZG
发表日期: 2005
摘要: We report on the material growth and device performance characterization of a strain-compensated In0.54Ga0.46As/In0.51Al0.49As quantum cascade laser at lambda similar to 8 mu m. For 2 mu s pulse at a 5 kHz repetition rate, laser action is achieved up to room temperature (30 degrees C). The tuning coefficient d lambda/dT is 1.37 nm K-1 between 83 K and 163 K and 0.60 nm K-1 in the range from 183 K to 303 K. The peak output power is reported to be similar to 11.3 mW per facet at 293 K and the corresponding threshold current density is 5.69 kA cm(-2).
KOS主题词: continuous-wave operation
刊名: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Guo, Y; Liu, FQ; Liu, JQ; Li, CM; Wang, ZG .8 mu m strain-compensated quantum cascade laser operating at room temperature ,SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY,AUG 2005,20 (8):844-846
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