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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Influence of dislocations on photoluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells
作者: Zhang JC;  Jiang DS;  Sun Q;  Wang JF;  Wang YT;  Liu JP;  Chen J;  Jin RQ;  Zhu JJ;  Yang H;  Dai T;  Jia QJ
发表日期: 2005
摘要: The influence of dislocations on photoluminescence (PL) of InGaN/GaN multiple quantum wells (MQWs) is investigated by triple-axis x-ray diffraction (TAXRD), transmission electron microscopy (TEM), and PL spectra. The omega scan of every satellite peak by TAXRD is adopted to evaluate the mean screw and edge dislocation densities in MQWs. The results show that dislocations can lead to a reduction of the PL-integrated intensity of InGaN/GaN MQWs under certain conditions, with edge dislocations playing a decisive role. Additionally, the dislocations can broaden the PL peak, but the effect becomes evident only under the condition when the interface roughness is relatively low. (C) 2005 American Institute of Physics.
KOS主题词: X-ray crystallography
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhang, JC; Jiang, DS; Sun, Q; Wang, JF; Wang, YT; Liu, JP; Chen, J; Jin, RQ; Zhu, JJ; Yang, H; Dai, T; Jia, QJ .Influence of dislocations on photoluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells ,APPLIED PHYSICS LETTERS,AUG 15 2005,87 (7):Art.No.071908
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