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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: High-quality GaNAs/GaAs quantum wells with light emission up to 1.44 mu m grown by molecular-beam epitaxy
作者: Wang SM;  Gu QF;  Wei YQ;  Sadeghi M;  Larsson A;  Zhao QX;  Wang XD;  Ma CH;  Xing ZG
发表日期: 2005
摘要: High-quality GaNAs/GaAs quantum wells with high substitutional N concentrations, grown by molecular-beam epitaxy, are demonstrated using a reduced growth rate in a range of 0.125-1 mu m/h. No phase separation is observed and the GaNAs well thickness is limited by the critical thickness. Strong room-temperature photoluminescence with a record long wavelength of 1.44 mu m is obtained from an 18-nm-thick GaN0.06As0.94/GaAs quantum well. (C) 2005 American Institute of Physics.
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Wang, SM; Gu, QF; Wei, YQ; Sadeghi, M; Larsson, A; Zhao, QX; Wang, XD; Ma, CH; Xing, ZG .High-quality GaNAs/GaAs quantum wells with light emission up to 1.44 mu m grown by molecular-beam epitaxy ,APPLIED PHYSICS LETTERS,OCT 3 2005,87 (14):Art.No.141913
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