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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Raman study on self-assembled InAs/InAlAs/InP(001) quantum wires
作者: Lei W;  Chen YH;  Xu B;  Ye XL;  Zeng YP;  Wang ZG
发表日期: 2005
摘要: The phonons of self-assembled InAs/InAlAs/InP quantum wires (QWRs) have been studied by Raman scattering. The QWR LO phonons show an unusual frequency shift with the increase of the InAs deposited thickness due to dislocations. The QWR LO phonons are found to follow the selection rule of the LO phonons in bulk zinc-blende semiconductors. Because of the intermixing of In/Al atoms and the multiplication of dislocations, the post-growth thermal annealing treatment leads to a shift of the QWR LO phonons to lower frequency.
KOS主题词: vibrational properties
刊名: NANOTECHNOLOGY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Lei, W; Chen, YH; Xu, B; Ye, XL; Zeng, YP; Wang, ZG .Raman study on self-assembled InAs/InAlAs/InP(001) quantum wires ,NANOTECHNOLOGY,SEP 2005,16 (9):1974-1977
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