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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Transverse magnetic field effect on the current hysteresis of doped GaAs/AlAs superlattice
作者: Sun, BQ;  Wang, JN;  Jiang, DS
发表日期: 2005
摘要: The influence of a transverse magnetic field up to 13 T at 1.6 K on the current-voltage, I (V), characteristics of a doped GaAs/AlAs superlattice was investigated. Current hysteresis was observed in the domain formation regions of the I (V) at zero magnetic field while applied bias was swept in both up (0-6 V) and down (6-0 V) directions. The magnitude of current hysteresis was reduced and finally disappeared with increasing transverse magnetic field. The effect is explained as the modification of the current density versus electric field characteristic by transverse magnetic fields. Calculated results based on the tunnelling current formula in a superlattice support our interpretation.
刊名: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Sun, BQ; Wang, JN; Jiang, DS .Transverse magnetic field effect on the current hysteresis of doped GaAs/AlAs superlattice ,SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY,SEP 2005,20 (9):947-951
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