高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Photoluminescence study on Eu-implanted GaN
作者: Zhang CG;  Bian LF;  Chen WD
发表日期: 2005
摘要: The photoluminescence (PL) properties of Eu-implanted GaN thin films are studied. The experimental results show that the PL intensity is seriously affected by ion implantation conditions. The PL efficiency increases exponentially with annealing temperature increasing up to a maximum temperature of 1050 degrees C. Moreover, the PL intensity for the sample implanted along the channelling direction is nearly twice more than that observed from the sample implanted along the random direction. The thermal quenching of PL intensity from 10K to 300K for sample annealed at 1050 degrees C is only 42.7%.
KOS主题词: Photoluminescence
刊名: CHINESE PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
2529.pdf214KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Zhang, CG; Bian, LF; Chen, WD .Photoluminescence study on Eu-implanted GaN ,CHINESE PHYSICS,OCT 2005,14 (10):2141-2144
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Zhang CG]的文章
 [Bian LF]的文章
 [Chen WD]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Zhang CG]的文章
 [Bian LF]的文章
 [Chen WD]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发