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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: A method to estimate the strain state of SiGe/Si by measuring the bandgap
作者: Cheng BW;  Yao F;  Xue CL;  Zhang JG;  Li CB;  Mao RW;  Zuo YH;  Luo LP;  Wang QM
发表日期: 2005
摘要: sing the result of model-solid theory, we have obtained the relationship between bandgap and strain of Si1-x Ge-x alloy on Si (100) substrate with x < 0.85. It was shown that the deviation between the bandgap of strained SiGe and relaxed SiGe is proportional to the strain. According to the theoretical result, a novel method was suggested to determine the strain state of SiGe/ Si through measuring the bandgap. The strain in the SiGe/Si multi-quantum wells was measured using the new method and the results had good agreement with that from XRD measurement.
刊名: ACTA PHYSICA SINICA
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Cheng, BW; Yao, F; Xue, CL; Zhang, JG; Li, CB; Mao, RW; Zuo, YH; Luo, LP; Wang, QM .A method to estimate the strain state of SiGe/Si by measuring the bandgap ,ACTA PHYSICA SINICA,SEP 2005,54 (9):4350-4353
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