高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Cleaved-edge overgrowth of aligned InAs islands on GaAs(110)
作者: Cui CX;  Chen YH;  Zhao C;  Jin P;  Shi GX;  Wang YL;  Xu B;  Wang ZG
发表日期: 2005
摘要: A novel approach for positioning InAs islands on GaAs(110) by cleaved-edge overgrowth is reported. The first growth sample contains a strained InxGa1-xAs/GaAs superlattice of varying indium fraction and thickness, which acts as a strain nanopattern for the cleaved edge overgrowth. The formation of aligned islands is observed by means of atomic force microscopy. The ordering of the aligned islands and the structure of a single InAs island are found to depend on the properties of the underlying InxGa1-xAs/GaAs superlattice and molecular beam epitaxy growth conditions.
KOS主题词: Quantum dots
刊名: NANOTECHNOLOGY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
2489.pdf347KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Cui, CX; Chen, YH; Zhao, C; Jin, P; Shi, GX; Wang, YL; Xu, B; Wang, ZG .Cleaved-edge overgrowth of aligned InAs islands on GaAs(110) ,NANOTECHNOLOGY,NOV 2005,16 (11):2661-2664
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Cui CX]的文章
 [Chen YH]的文章
 [Zhao C]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Cui CX]的文章
 [Chen YH]的文章
 [Zhao C]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发