高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: High temperature operation of 5.5 mu m strain-compensated quantum cascaded lasers
作者: Lu, XZ;  Liu, FQ;  Liu, JQ;  Jin, P;  Wang, ZG
发表日期: 2005
摘要: We develop 5.5-mu m InxGa1-xAs/InyAl1-yAs strain-compensated quantum cascade lasers with InP and InGaAs cladding layers by using solid-source molecular-beam epitaxy. Pulse operation has been achieved up to 323 K (50 degrees C) for uncoated 20-mu m-wide and 2-mm-long devices. These devices display an output power of 36 mW with a duty cycle of 1% at room temperature. In continuous wave operation a record peak optical power of 10 mW per facet has been measured at 83 K.
KOS主题词: continuous-wave operation
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
2475.pdf216KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Lu, XZ; Liu, FQ; Liu, JQ; Jin, P; Wang, ZG .High temperature operation of 5.5 mu m strain-compensated quantum cascaded lasers ,CHINESE PHYSICS LETTERS,DEC 2005,22 (12):3077-3079
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Lu, XZ]的文章
 [Liu, FQ]的文章
 [Liu, JQ]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Lu, XZ]的文章
 [Liu, FQ]的文章
 [Liu, JQ]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发