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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Formation of self-assembly and the mechanism of Si nanoquantum dots prepared by low pressure chemical vapor deposition
作者: Peng, YC;  Ikeda, M;  Miyazaki, S
发表日期: 2003
摘要: Si nanoquantum dots have been formed by self-assembled growth on the both Si-O-Si and Si-OH bonds terminated SiO2 surfaces using the low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD) and surface thermal decomposition of pure SiH4 gas. We have experimentally studied the variation of Si. dot density with Si-OH bonds density, deposition temperature and SiH4 pressure, and analyzed qualitatively the formation mechanism of the Si nanoquantum dots based on LPCVD surface thermal dynamics principle. The results are very. important for the control of the density and size of Si nanoquantum dots, and have potential applications in the new quantum devices.
刊名: ACTA PHYSICA SINICA
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Peng, YC; Ikeda, M; Miyazaki, S .Formation of self-assembly and the mechanism of Si nanoquantum dots prepared by low pressure chemical vapor deposition ,ACTA PHYSICA SINICA,DEC 2003,52 (12):3108-3113
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