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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: (Ga, Gd, As) film growth on GaAs substrate by low-energy ion-beam deposit
作者: Song SL;  Chen NF;  Zhou JP;  Li YL;  Chai CL;  Yang SY;  Liu ZK
发表日期: 2004
摘要: (Ga, Gd, As) film was fabricated by the mass-analyzed dual ion-beam epitaxy system with the energy of 1000 eV at room temperature. There was no new peak found except GaAs substrate peaks (0 0 2) and (0 0 4) by X-ray diffraction. Rocking curves were measured for symmetric (0 0 4) reflections to further yield the lattice mismatch information by employing double-crystal X-ray diffraction. The element distributions vary so much due to the ion dose difference from AES depth profiles. The sample surface morphology indicates oxidizing layer roughness is also relative to the Gd ion dose, which leads to islandlike feature appearing on the high-dose sample. One sample shows ferromagnetic behavior at room temperature. (C) 2003 Elsevier B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Auger electron spectroscopy
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Song, SL; Chen, NF; Zhou, JP; Li, YL; Chai, CL; Yang, SY; Liu, ZK .(Ga, Gd, As) film growth on GaAs substrate by low-energy ion-beam deposit ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,JAN 9 2004,260 (3-4):451-455
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