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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Photoluminescence study of InGaN/GaN quantum dots grown on passivated GaN surface
作者: Huang JS;  Chen Z;  Luo XD;  Xu ZY;  Ge WK
发表日期: 2004
摘要: We have measured photoluminescence (PL) and time-resolve photoluminescence (TRPL) from InGaN/GaN quantum dots (QDs) grown on passivated GaN surfaces by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Strong PL emission was observed from the QDs structure even at room temperature. By comparing the PL and TRPL dependence on temperature, a significant difference between the QD and wetting layer emissions was revealed. The QD emission is characterized by a strong exciton localization effect, which leads to a larger thermal activation energy, a nearly constant radiative lifetime independent of temperature and an unusual temperature behavior of the PL peak energy. (C) 2003 Elsevier B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Atomic force microscopy
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Huang, JS; Chen, Z; Luo, XD; Xu, ZY; Ge, WK .Photoluminescence study of InGaN/GaN quantum dots grown on passivated GaN surface ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,JAN 2 2004,260 (1-2):13-17
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