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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Growth of heavily Zn-doped InGaAs at low temperature by LP-MOCVD
作者: Lin, T;  Jiang, L;  Wei, X;  Wang, GH;  Zhang, GZ;  Ma, XY
发表日期: 2004
摘要: Epitaxial growth of Zn-doped InGaAs on InP substrates has been carried out at 550degreesC by LP-MOCVD. Hole concentration as high as 6 x 10(19)cm(-3) has been achieved at the H-2 flow rate of 20 sccm through DEZn bubbler. The lattice constant of Zn-doped InGaAs was found to be dependent on the flow rate of DEZn, and the tensile strain mismatch increases with increasing H-2 flow rate of DEZn. The negative lattice mismatch of heavily Zn-dopped InGaAs may be due to, the small covalent bonding radius of zinc and the combination of butane from ethyl of DEZn,and TEGa. And the latter accelerates the pyrolysis of TEGa, which is the dominant mechanism in determining the negative mismatch of Zn-doped InGaAs. (C) 2003 Elsevier B.V. All rights reserved.
KOS主题词: doping
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Lin, T; Jiang, L; Wei, X; Wang, GH; Zhang, GZ; Ma, XY .Growth of heavily Zn-doped InGaAs at low temperature by LP-MOCVD ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,FEB 1 2004,261 (4):490-495
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