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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Large-scale synthesis of single-phase, high-quality GaN nanocrystallites
作者: Wang JC;  Yu DP;  Li CY;  Zhou JF;  Wang YZ;  Feng SQ
发表日期: 2004
摘要: Large-scale synthesis of high-quality GaN nano-crystallites has been achieved by direct reaction of a 4:1 molar Ga/Ga2O3 mixture with ammonia at 950degreesC. X-ray diffraction, transmission electron microscopy, selected-area electron diffraction and high-resolution transmission electron microscopy revealed that the produced GaN nanocrystallites were single hexagonal wurtzite structure with an average particle size around 45 nm. A sharp near band edge emission peak and a blue light emission peak were observed in photoluminescence spectroscopy. The synthesis approach is simple and easy to be commercialized.
KOS主题词: Light emitting diodes
刊名: APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Wang, JC; Yu, DP; Li, CY; Zhou, JF; Wang, YZ; Feng, SQ .Large-scale synthesis of single-phase, high-quality GaN nanocrystallites ,APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING,MAR 2004,78 (5):753-755
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