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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Experimental verification on the origin of plateau-like current-voltage characteristics of resonant tunneling diodes
作者: Qiu ZJ;  Gui YS;  Guo SL;  Dai N;  Chu JH;  Zhang XX;  Zeng YP
发表日期: 2004
摘要: Current-voltage (I-V) characteristics of GaAs-based resonant tunneling diodes have been investigated in the presence of a perpendicular magnetic field. Electron resonant tunneling is strongly suppressed by the applied magnetic field, leading to peak current decreasing with increasing magnetic field. The observed plateau-like structures appear in negative differential resistance region on the I-V curves and are magnetic-field dependent. The plateau-like structures are due to the coupling between the energy levels in the emitter well and in the main quantum well. (C) 2004 American Institute of Physics.
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Qiu, ZJ; Gui, YS; Guo, SL; Dai, N; Chu, JH; Zhang, XX; Zeng, YP .Experimental verification on the origin of plateau-like current-voltage characteristics of resonant tunneling diodes ,APPLIED PHYSICS LETTERS,MAR 15 2004,84 (11):1961-1963
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