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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Nonradiative recombination centers in Ga(As,N) and their annealing behavior studied by Raman spectroscopy
作者: Ramsteiner M;  Jiang DS;  Harris JS;  Ploog KH
发表日期: 2004
摘要: Nitrogen-related defects in diluted Ga(As,N) have been detected by Raman scattering in resonance with the localized E+ transition. These defects are attributed to local vibrational modes of nitrogen dimers on Ga- and As-lattice sites. Rapid thermal annealing under appropriate conditions is found to be able to remove the nitrogen dimers. The required minimum annealing temperature coincides with the threshold-like onset of strong, near-band-gap photoluminescence. This finding suggests that the nitrogen dimers are connected with nonradiative recombination centers. (C) 2004 American Institute of Physics.
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Ramsteiner, M; Jiang, DS; Harris, JS; Ploog, KH .Nonradiative recombination centers in Ga(As,N) and their annealing behavior studied by Raman spectroscopy ,APPLIED PHYSICS LETTERS,MAR 15 2004,84 (11):1859-1861
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