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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Effect of SiO2 encapsulation on the nitrogen reorganization in a GaNAs/GaAs single quantum well
作者: Xu YQ;  Zhang W;  Niu ZC;  Wu RH;  Wang QM
发表日期: 2004
摘要: Effects of SiO2 encapsulation and rapid thermal annealing on the optical properties of a GaNAs/GaAs single quantum well (SQW) are studied by low-temperature photoluminescence (LTPL). After annealing at 800degreesC for 30s, a blueshift of the LTPL peak energy for the SiO2-capped region is 25meV and that for the bare region is 0.8meV. The results can attribute to the nitrogen reorganization in the GaNAs/GaAs SQW. It is also shown that the nitrogen reorganization can be obviously enhanced by SiO2 cap-layer. A simple model is used to describe the SiO2-enhanced blueshift of the LTPL peak energy. The estimated activation energy of the N atomic reorganization for the samples annealing with and without SiO2 cap-layer are 2.9eV and 3.1eV, respectively.
KOS主题词: atomic layer deposition
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Xu, YQ; Zhang, W; Niu, ZC; Wu, RH; Wang, QM .Effect of SiO2 encapsulation on the nitrogen reorganization in a GaNAs/GaAs single quantum well ,CHINESE PHYSICS LETTERS,MAR 2004,21 (3):521-523
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