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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Effects of TMIn flow on the interface and optical properties of InGaN/GaN mutiple quantum wells
作者: Liu JP;  Jin RQ;  Zhu JJ;  Zhang JC;  Wang JF;  Wu M;  Chen J;  Wang YT;  Yang H
发表日期: 2004
摘要: The effects of pre-TMIn flow prior to QW growth and TMIn flow rates during QW growth on the interface and optical properties of InGaN/GaN MQWs were investigated. Pre-depositing indium prior to QW growth and an appropriate TMIn flow rate can improve the interface abruptness and increase the EL intensity. InGaN/GaN MQWs with improved interface abruptness have increasing emission intensity and wavelength. We attribute the interface improvement and the increase of EL intensity to the improvement of the indium compositional profiles. (C) 2004 Elsevier B.V. All rights reserved.
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Liu, JP; Jin, RQ; Zhu, JJ; Zhang, JC; Wang, JF; Wu, M; Chen, J; Wang, YT; Yang, H .Effects of TMIn flow on the interface and optical properties of InGaN/GaN mutiple quantum wells ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,MAR 15 2004,264 (1-3):53-57
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