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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Photoluminescence of Er-doped hydrogenated amorphous silicon nitride
作者: Zhao, Q;  Yan, H;  Kumeda, A;  Shimizu, T
发表日期: 2004
摘要: Er photoluminescence (Er PL) and dangling bonds (DBs) of annealed Er-doped hydrogenated amorphous silicon nitride (a-SiN:H(Er)) with various concentrations of nitrogen are studied in the temperature range 62-300 K. Post-annealing process is employed to change the DBs density of a-SiN:H(Er). PL spectra, DBs density and H, N concentrations are measured. The intensity of Er PL displays complicated relation with Si DBs density within the annealing temperature range 200-500 degreesC. The intensity of Er PL first increases with decreasing density of Si dangling bonds owing to the structural relaxation up to 250 degreesC, and continues to increase up to 350 degreesC even though the density of Si DBs increases due to the improvement of symmetry environment of Er3+. (C) 2003 Elsevier B.V. All rights reserved.
刊名: APPLIED SURFACE SCIENCE
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhao, Q; Yan, H; Kumeda, A; Shimizu, T .Photoluminescence of Er-doped hydrogenated amorphous silicon nitride ,APPLIED SURFACE SCIENCE,APR 15 2004,227 (1-4):306-311
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