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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Optical properties of boron-doped Si nanowires
作者: Zeng, XB;  Liao, XB;  Wang, B;  Dai, ST;  Xu, YY;  Xiang, XB;  Hu, ZH;  Diao, HW;  Kong, GL
发表日期: 2004
摘要: Raman scattering and photoluminescence (PL) of boron-doped silicon nanowires have been investigated. Raman spectra showed a band at 480 cm(-1), indicating that the crystallinity of the nanowires was suppressed by boron doping. PL taken from B-doped SiNWS at room temperature exhibited three distinct emission peaks at 1.34, 1.42. and 1.47 eV and the PL intensity was much stronger than that of undoped SiNWS. The increased PL intensity should be very profitable for nano-optoelectronics. (C) 2004 Elsevier B.V. All rights reserved.
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zeng, XB; Liao, XB; Wang, B; Dai, ST; Xu, YY; Xiang, XB; Hu, ZH; Diao, HW; Kong, GL .Optical properties of boron-doped Si nanowires ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,APR 15 2004,265 (1-2):94-98
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